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化学气相沉积炉(CVD系统)

产品简介

化学气相沉积炉(CVD系统)是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。

产品型号:
更新时间:2024-05-15
厂商性质:生产厂家
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  化学气相沉积炉(CVD系统)是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

  高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

  产品特点:

  1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

  2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

  3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;

  4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

  5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

  6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

  7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;

  8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。


化学气相沉积炉(CVD系统)技术参数:

型号

HTF1200-2.5/20-2F-LV

HTF1200-5/20-4F-HV

HTF1200-6/40-2M-LV

HTF1200-8/40-4M-HV

设计温度(℃)

1200

1200

1200

1200

控温精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加热区直径(mm)

25

50

60

80

加热区长度(mm)

200

200

400

400

加热管长度(mm)

450

450

1000

1000

恒温区长度(mm)

80

80

150

150

额定电压(V)

220

220

220

220

额定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

真空机组

HTF-101

HTF-103

HTF-101

HTF-103

供气系统

HTF-2F

HTF-4F

HTF-2M

HTF-4M



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