产品列表PRODUCTS LIST

首页>产品中心>管式炉>单温区管式炉>化学气相沉积炉(CVD系统)

化学气相沉积炉(CVD系统)

简要描述:

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

更新时间:2020-09-04

发邮件给我们:sales@haoyue-group.com

分享到: 1
在线留言
化学气相沉积炉(CVD系统)

一、产品应用

  高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

二、产品特点

  高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;

4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;

8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。

三、技术参数 

型号

HTF1200-2.5/20-2F-LV

HTF1200-5/20-4F-HV

HTF1200-6/40-2M-LV 

HTF1200-8/40-4M-HV 

设计温度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控温精度(℃)

±1 

±1  

±1  

 ±1 

 加热区直径(mm)

25 

50 

60 

80 

 加热区长度(mm)

200 

200 

400 

400 

 加热管长度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

 恒温区长度(mm)

80 

80 

150 

150 

额定电压(V)

220 

220 

220 

220 

额定功率(KVA)

1.2 

1.2 

3 

3 

真空机组

HTF-101 

HTF-103 

HTF-101 

HTF-103 

供气系统

HTF-2F 

HTF-4F 

HTF-2M 

HTF-4M 

 

 

 

留言框

  • 产品:

  • 留言内容:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 详细地址:

  • 省份:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
联系人
在线客服
用心服务 成就你我