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这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用高纯刚玉管、两端用不锈钢法兰密封，可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点；
PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成离子体，而等离子体化学活性很强，很容易反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；
低温单温区系列管式炉系周期作业，供企业、院校、研究机构等单位选用。 设备为用户提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境，应用在半导体、纳米技术、碳纤维等新材料新工艺领域。
高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用高纯刚玉管、两端用不锈钢法兰密封，可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、真空退火用的理想产品。
这款管式炉以优质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用高纯刚玉管、两端用不锈钢法兰密封，可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点；
这款管式炉以优质电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用高纯石英管、两端用不锈钢法兰密封，可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、真空退火用的理想产品。
