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等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)

简要描述:

等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)是借助于放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。

型号:

城市:上海市

访问量:3681

更新时间:2021-11-18

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等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)
  一、等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)的应用:
  PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成离子体,而等离子体化学活性很强,很容易反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;
 
  二、产品特点:
  1、整机采用SUS304不锈钢材质,流线型外观,真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好。
  2、炉子底部装有一对滑轨,移动平稳,可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却。炉盖可开启,可以实时观察加热的物料。
   3、采用高纯石英管,高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数极小。
  4、采用SUS304不锈钢快速法兰,通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空,一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷。
  5、加热元件采用康奈尔发热丝,表面负荷高、经久耐用。设计温度1200℃,升温速率10℃/min。
  6、可选配多路质量流量计,数字显示、气体流量自动控制;内置不锈钢混气箱,每路气体管路均配有逆止阀,可通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。
  7、等离子射频电源:大射频功率达500W,输出频率13.56MHz±0.005%,输入电源 208-240VAC,单相50/60Hz。
 
  三、技术参数:

 

型号

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

设计温度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控温精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加热区直径(mm)

25 

 50

60 

80 

加热区长度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加热管长度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恒温区长度(mm)

80 

80 

150 

150 

额定电压(V)

220 

220 

220 

220

额定功率(KVA)

1.2 

1.2 

射频电源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空机组

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供气系统

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 

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