等离子增强化学气相沉积炉（PECVD系统）

产品简介

等离子增强化学气相沉积炉（PECVD系统）是借助于放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。

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更新时间：2023-09-19

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气相沉积炉在技术上有什么特点？安装要注意什么？

单温区管式炉在实际使用上具有哪些性能？

等离子增强化学气相沉积炉主要包含以下三个基本过程

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　　一、等离子增强化学气相沉积炉（PECVD系统）的应用：

　　PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成离子体，而等离子体化学活性很强，很容易反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；

　　二、产品特点：

　　1、整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好。

　　2、炉子底部装有一对滑轨，移动平稳，可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却。炉盖可开启，可以实时观察加热的物料。
　　3、采用高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小。

　　4、采用SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O"型圈紧密密封可获得高真空，一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷。

　　5、加热元件采用康奈尔发热丝，表面负荷高、经久耐用。设计温度1200℃，升温速率10℃/min。

　　6、可选配多路质量流量计，数字显示、气体流量自动控制；内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀，可通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。

　　7、等离子射频电源：大射频功率达500W，输出频率13.56MHz±0.005%，输入电源 208-240VAC，单相50/60Hz。

　　三、等离子增强化学气相沉积炉（PECVD系统）技术参数：

型号	HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE	HTF1200-5/20-4M-LV-PE	HTF1200-6/40-2M-HV-PE	HTF1200-8/40-4M-HV-PE
设计温度（℃）	1200	1200	1200	1200
控温精度（℃）	±1	±1	±1	±1
加热区直径（mm）	25	50	60	80
加热区长度（mm）	200	200	400	400
加热管长度（mm）	450	450	1000	1000
恒温区长度（mm）	80	80	150	150
额定电压（V)	220	220	220	220
额定功率(KVA)	1.2	1.2	3	3
射频电源功率（W)	5~300	5~300	5~500	5~500
真空机组	HTF-101	HTF-101	HTF-104	HTF-104
供气系统	HTF-2F	HTF-4F	HTF-2M	HTF-4M

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