碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术

随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等，会严重影响功率器件的可靠性，加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题，近年来，纳米银烧结技术受到了越来越多研究者的关注。图1苹果手机主板上的器件集成度越来越高低温烧结互连技术...

碳化硅晶体的高温退火处理

碳化硅SiC晶体生长较常见，较成熟的方法仍然是物理气相输运法（PVT），该方法是一种气相生长方法，生长温度高，对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来，国内外对PVT工艺的开发投入了大量的时间和精力，SiC晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶体中仍然存在组织缺陷和微观应力。组织缺陷的存在会恶化SiC基器件的性能，从而影响器件的应用，而应力的存在则会使得SiC晶体在加工阶段容易碎裂，从而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶体中存在的组织缺陷和微观应力就显...

您对真空气氛烧结炉了解多少？知道它采用什么原理吗？

真空气氛烧结炉用于特种陶瓷，精密陶瓷，荧光粉，发光粉，粉末冶金，锂电池材料等，无机材料的烧结，高温烧结炉广泛应用于1050度以下电子产品在保护气氛或空气中的预烧、烧成或热处理工艺，包括导体浆料、电阻浆料及介质等厚膜电路，电阻、电容、电感等电子元件的端头烧银、烧成，电路管壳、晶振等元件的玻璃缘子封装等。烧结炉在钢铁行业、冶金行业、电子行业等都有广泛应用。烧结炉主要用于陶瓷粉体、陶瓷插芯和其他氧化锆陶瓷的烧结，金刚石锯片的烧结，也可用于铜材，钢带退火等热处理。也用于金属粉末在保护...

第三代半导体材料之碳化硅

碳化硅SiC是一种由硅﹙Si﹚与碳﹙C﹚以共价键为主结合而成的化合物，其基本单元为Si-C四面体，其中Si原子位于中心，周围为C原子。SiC所有的结构均由Si-C四面体以不同的堆积方式构成。目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，它具有：（1）临界击穿电场强度是硅材料近1...

ITO靶材常压烧结工艺进展

20世纪90年代初兴起了一种新的靶材烧结方法-常压烧结法，它是指在一定气氛和温度条件下对ITO靶材的素坯进行烧结，通过对烧结过程中各因素的控制，来有效控制ITO素坯晶粒的生长，从而达到靶材的晶粒分布均匀性及高致密化，该方法对粉末的烧结活性和靶材变形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，溅射到平板上的拼缝就越少，价值也越高。国外可以做宽1200毫米、长近3000毫米的单块靶材，国内只能制造不超过800毫米宽的。日企ITO制备工艺1.日本东曹公司日本东曹公司的的技术方案中，将粒...

等离子增强化学气相沉积炉主要包含以下三个基本过程

等离子增强化学气相沉积炉（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其二，各种活性基团向薄膜生长...

ITO靶材烧结工艺

ITO(氧化铟锡)是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。ITO靶材性能的重要指标是成分、相结构和密度，ITO溅射靶材的成分为In2O3+SnO2，氧化铟与氧化锡成分配比通常为90:10(质量比)，在ITO靶材的生产过程中必须严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度。ITO靶材制备流程ITO靶材的成型工艺制备出成分均匀、致密度较高的初坯，对经过低温热脱脂和烧结后工艺处理得...

ITO靶材应用及发展前景

氧化铟锡(ITO)晶体结构氧化铟锡(ITO)是通过用锡掺杂In2O3而形成的n型半导体，晶体结构是In2O3结构，其中In2O3结构具有两种形态，一种是立方铁锰矿结构，另一种是六方刚玉结构。立方铁锰矿结构是常见的In2O3结构，如图1所示。当将氧化锡掺杂到氧化铟中以形成氧化铟锡固溶体时，一种高度简并的n型半导体得以产生，其中一定数量的In3+位置被Sn4+取代了，导致ITO晶格中出现大量点缺陷，同时产生大量自由电子，点缺陷和自由电子可充当电场下的载流子，因此表现出了优异的导电...